Table 1

Intensity of the silicon suboxides for the samples annealed at 150°C and 400°C
T = 150°C T = 400°C
Intensity/oxidation time (min) 5 10 20 30 60 5 10 20 30 60
Si2O 0.317 0.269 0.252 0.289 0.198 0.235 0.227 0.186 0.212 0.249
SiO 0.067 0.092 0.102 0.151 0.148 0.107 0.089 0.142 0.095 0.104
Si2O3 0.026 0.078 0.076 0.126 0.088 0.157 0.077 0.149 0.139 0.083
SiO2 0.228 0.350 0.414 0.666 0.787 1.181 1.390 1.569 1.604 1.922
Total 0.640 0.790 0.845 1.234 1.223 1.680 1.785 2.047 2.052 2.360

Bashouti et al.

Bashouti et al. Nanoscale Research Letters 2013 8:41   doi:10.1186/1556-276X-8-41

Open Data